第一百八十五章：N-漂移层

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“”

“一次渗透碳原子的3。”

“二次渗透碳原子的1。”

“这不可能！”

看到最后dpa损伤结果，中年组长瞬间脱口而出，满脸的不敢置信。

这一组资料上的数据，实在是太令人震惊了。

一次渗透碳原子的dpa损伤只有183，这怎么可能？

哪怕是风车国那边最先进的离子注入，碳化硅晶材中的碳原子损伤也会达到三位数以上。

更关键的是，这种方式二次渗透的都只有低两位数的dpa损伤。

这是上帝才能做到事情。

这样低的渗透损伤率，如果应用到芯片的制造上。

实验室的中年组长已经不敢再想下去了。

正如华国京城某间实验室中一样，这样的场景不断重复在世界各地中。

模拟空间中，一下午的时间很快就过去了。

经历过整整六次的渗透处理后，太阳也下山了。

但今天的直播到现在还不能停下。

渗透处理过后的碳化硅晶材需要更进一步处理，将刚注入的铝离子稳定下来，形成可用的n-漂移层。

至于稳定的方法，那就是通过高温进行退火处理。

清洗干净的碳化硅晶材吹干后整齐的倒放在干燥的玻璃容器中，韩元从一旁的材料中翻出来一个透明塑料袋。

里面是细细的黑色粉末，上面还有一个纸制标签，写着‘碳粉’两字。

将袋子打开，里面碳粉取出来装入注入了铝离子的沟槽中，覆盖住整个沟槽。

三十颗碳化硅晶材全都处理好后装入金属盘中，然后送入高温熔炉中。

熔炉中的温度控制在一千一到一千四百度之间。

这一步很重要，通过高温加碳粉在碳化硅晶材的n+漂移层上形成一道保护膜，可以稳定有效的控制住n-漂移层中的电子流失。

高温退火的过程是三个小时左右。

从太阳下山，一直到月亮升起，韩元才将熔炉中的碳化硅晶材拿出来，冷却后清理掉多余的碳粉。

处理完成后的碳化硅晶材的n-漂移层再通过浓硫酸来清理掉顽固的碳渣。

这一步完成后，韩元才松了口气。

碳化硅晶体管中最难处理的n-漂移层他已经制备完成了。

剩下的，明天再来处理就行了。

和直播间里面观众打了个招呼，他便停下了直播。

n-漂移层处理完成后，剩下的工作相对而言就简单多了。

当然，这只是针对他制造的这种碳化硅晶体管来说的。

如果是现代化的集成芯片，后面还需要注入p阱、p+接触区、n+接触点、p-区域等一些列的步骤。

麻烦程度可不止一点半点的。

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